On lossless reciprocal and nonreciprocal matching networks of an active loadZONGLIAN FEI; WAI-KAI CHEN.Journal of the Franklin Institute. 1987, Vol 323, Num 2, pp 235-252, issn 0016-0032Article

Analyse et optimisation de transistors à effet de champ à hétérojonction pour l'amplification de puissance dans la bande Ka = Analyse and optimisation of heterojunction field effect transistors for power amplification in Ka bandGaquiere, Christophe; Bonte, B; Crosnier, Y et al.1995, 291 p.Thesis

The active loads based on capacitively coupled HTSC-single hole transistorSHEN, B; JIANG, J. F; CAI, Q. Y et al.IEEE transactions on applied superconductivity. 1999, Vol 9, Num 2, pp 4273-4276, issn 1051-8223, 3Conference Paper

Optimisation expérimentale des conditions de fonctionnement des transistors de puissance pour systèmes de télécommunications microondes = Experimental optimization of power transistor operating conditions for microwave communications systemsBouysse, Philippe; Villotte, Jean-Pierre.1992, 304 p.Thesis

Analyse du fonctionnement en amplification de puissance en bande Ka des transistors HEMT des filières AsGa et InP = Power amplification analysis of InP and GaAs HEMT's in Ka bandBourcier, Eric; Bourlier, Eric; Crosnier, Yves et al.1998, 345 p.Thesis

Prise en charge de l'accouchement du deuxième jumeau : Recommandations pour la pratique clinique = Management of second twin deliverySCHMITZ, T.Journal de gynécologie obstétrique et biologie de la reproduction. 2009, Vol 38, Num 8, issn 0368-2315, S114-S121, SUPArticle

Etude et réalisation d'un amplificateur monolithique hyperfréquence à adaptation active = Conception and realisation of a MMIC amplifier with active matchingFouquet, François; Gautier, Jean-Luc.1993, 236 p.Thesis

Méthodologie de modélisation dynamique des réseaux électriques embarquésABDELJALIL, Lamya; MOHAMED FOUAD BENKHORIS; AÏT-AHMED, Mourad et al.Revue internationale de génie électrique. 2007, Vol 10, Num 1-2, pp 83-115, issn 1295-490X, 33 p.Article

Influence of temperature on the charging/discharging process of IrO₂ coating deposited on p-Si substrateFIERRO, Stéphane; OUATTARA, Lassiné; HERRERA CALDERON, Erika et al.Electrochemistry communications. 2008, Vol 10, Num 6, pp 955-959, issn 1388-2481, 5 p.Article